Микросхема представляет собой усилитель
мощности звуковой частоты. Содержит 86 интегральных элементов.
Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-2. Масса не более
1,5 гр.
 |
Назначение выводов:
1 - питание +Uи.п.;
6 - обратная связь;
8 - вход;
9 - общий -Uи.п..
12 - выход;
|
Корпус ИМС К174УН9 (238.12-1) | |

Типовая схема включения ИМС К174УН9
Электрические
параметры
| 1 |
Номинальное напряжение питания |
15 В ± 10% |
| 2 |
Выходное напряжение при Uп = 15 В, Uвх = 47 мВ, fвх = 1 кГц |
3,6…4,6 В |
| 3 |
Чувствительность при Uп = 15 В, Uвых = 47 мВ, fвх = 1 кГц |
20…50 мВ |
3 |
Приведенное ко входу напряжение шумов при Uп = 15 В,
Uвх = 10 мВ, fвх = 1 кГц |
Ј 5,0 мкВ |
| 4 |
Ток потребления при Uп = 15 В |
Ј 60 мА |
5 |
Коэффициент усиления при Uп = 15 В, Uвых = 10 мВ,
fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом |
і 40 дБ |
6 |
Коэффициент гармоник при fвх = 1 кГц :
Uвых = 0,05 В, Uп = 13,5 В, Рвых = 0,05 Вт
Uвых = 3,16 В, Uп = 13,5 В, Рвых = 2,5 Вт
Uвых = 4,7 В, Uп = 15 В, Рвых = 5,5 Вт |
Ј 0,5 %
Ј 0,5 %
Ј 10 % |
7 |
Коэффициент ослабления при Uп = 15 В, Uвых = 10 мВ,:
на нижней частоте 40 Гц
на верхней частоте 15 кГц |
і -3 дБ
і -3 дБ |
| 8 |
Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц |
і 70 кОм |
| 9 |
Диапазон рабочих частот |
40…20 000 Гц |
Предельно
допустимые режимы эксплуатации
| 1 |
Напряжение питания |
8,0…18 В |
| 2 |
Входное напряжение |
Ј 50 мВ |
| 3 |
Выходная мощность |
Ј 5,5 Вт |
| 4 |
Сопротивление нагрузки |
і 3 Ом |
5 |
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда |
20°С/Вт
100°С/Вт |
| 6 |
Температура кристалла |
+ 90 °С |
| 7 |
Температура окружающей среды |
- 45…+ 85°С |
Общие
рекомендации по применению
Допускается использовать микросхемы только в типовой схеме включения.
При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек
выводов микросхемы.
Допускается кратковременное повышение напряжения питания до 40 В
и входного напряжения до 1,5 В в течении не более 50 мс с
периодичностью не менее 5 с.
Корректирующая цепочка RC вводится при необходимости для устранения
возбуждения (С = 39 пФ ± 10 %, R = 43 Ом ± 5 %).
Для уменьшения коэффициента усиления допускается изменение
сопротивления резисторов R1 и R2. Допускается применять
конденсаторы емкостью: С1 = 1…10 мкФ, С2 = 100…500 мкФ, С5 = 1000…2200
мкФ, не приводящих к изменению электрических параметров.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В.
Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а,
1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник.
Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев,
В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и
дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
|