Микросхемы служат в качестве усилителя
мощности низкой частоты с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку
4 Ом. Предназначена для применения в переносных телевизорах и
радиопремнаках. Аналог микросхемы TAA300 (функциональный аналог).
Содержат 32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в
корпусе типа 201.9-1. Масса не более 1,5 гр.
 |
Назначение выводов:
1 - коррекция Icc
выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий - Uи.п..
|
Корпус ИМС К174УН4
|
|
Принципиальная схема ИМС К174УН4
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические
параметры
| 1 |
Номинальное напряжение питания |
9 В ± 10% |
| 2 |
Ток потребления при Uп = 9 В,
Uвх = 0 В |
Ј 10 мА |
|
| 3 |
Коэффициент усиления при Uп = 9 В,
fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В |
4...40 |
4
|
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
Uп = 9 В, fвх = 1 кГц,
Т=+25...+55°С |
Ј 20 % |
5
|
Коэффициент гармоник при Uп = 9 В,
fвх = 1 кГц:
К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт,
Uвых = 2,0 В
К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт,
Uвых = 1,7 В |
Ј 2 %
Ј 2 % |
| 6 |
Входное сопротивление при Uп = 9 В,
fвх = 1 кГц |
і 10 кОм |
7
|
Выходная мощность при Uп = 9 В,
Rн = 4 Ома, Кг Ј
2 % :
К174УН4А
К174УН4Б |
1,0 Вт
0,7 Вт |
| 8 |
Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В |
30...20 000 Гц |
9
|
Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В,
Rн = 4 Ома:
К174УН4А при Pвых = 1,0 Вт
К174УН4Б при Pвых = 0,7 Вт |
50 %
35 % |
|
Предельно
допустимые режимы эксплуатации
1
|
Напряжение питания:
в предельном режиме: |
8,1...9,9 В
5,4...10 В |
|
2
|
Выходное напряжение:
К174УН4А
в предельном режиме
К174УН4Б
в предельном режиме |
Ј 2,0 В
Ј 2,25 В
Ј 1,7 В
Ј 1,87 В |
4
|
Амплитуда тока в нагрузке:
К174УН4А
в предельном режиме
К174УН4Б
в предельном режиме |
Ј 840 мА
Ј 900 мА
Ј 710 мА
Ј 750 мА |
5
|
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда |
60°С/Вт
135°С/Вт |
| 6 |
Температура кристалла |
+125 °С |
| 7 |
Температура окружающей среды |
-25...+55°С |
Общие
рекомендации по применению
При проведении монтажных операций
допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура
пайки 235 ± 5°С, расстояние от корпуса до места пайки на
более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.
При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита
от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем
допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации
необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7
с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать
провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления
напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей
конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней
граничной частоте 20кГц - не более 3 дб. Допускается
регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения
сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом…2,7
кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение
статического потенциала 200 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В.
Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а,
1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник.
Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев,
В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и
дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры:
Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. - Москва: Издательство МЭИ,
1991г. 240 с., ил.
|
Справочный лист 
