Микросхема представляет собой усилитель
мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт
на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов.
Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более
2,0 гр.
 |
Назначение выводов:
1 - коррекция Icc выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий -Uи.п..
|
Корпус ИМС К174УН8 (тип 201.9-1) |
|
Принципиальная схема ИМС К174УН8
Типовая схема включения ИМС К174УН8
Схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой
Электрические
параметры
| 1 |
Номинальное напряжение питания |
12 В ± 10% |
| 2 |
Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В |
Ј 15 мА |
| 3 |
Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В |
4…40 |
4
|
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом |
Ј 20 % |
5
|
Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц
Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт |
Ј 2 % |
| 6 |
Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц |
і 10 кОм |
| 7 |
Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома |
Ј 2,5Вт |
| 8 |
Диапазон рабочих частот |
30…20 000 Гц |
| 9 |
Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт |
50 % |
Предельно
допустимые режимы эксплуатации
| 1 |
Напряжение питания |
13,2 В |
| 2 |
Амплитудное значение тока в нагрузке |
1,09 А |
| 3 |
Сопротивление нагрузки |
і 4 Ом |
4
|
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда |
60°С/Вт
135°С/Вт |
| 5 |
Температура окружающей среды |
-25...+55°С |
| 6 |
Температура кристалла |
+125 °С |
Общие рекомендации
по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух
перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 °С,
расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм,
продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации
микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения
напряжения питания.
Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной
нагрузкой).
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать
индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания,
использовать только короткие провода для соединения с навесными
элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с
генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах
осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4,
а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной
связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник
/И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. -
Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник.
Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев,
В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и
дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
|
Справочный лист 
